1. Ausbildungsjahr

Lernbereich 1: Beurteilung von chemischen Zusammenhängen für die Halbleiterherstellung (72 Ustd.)

Lernbereich 2: Funktionsanalyse ausgewählter Halbleiterwerkstoffe (33 Ustd.)

Lernbereich 3: Einhaltung von Reinraumbedingungen (15 Ustd.)

Lernbereich Vertiefung: Zeit für Vertiefungen, Wiederholungen und Leistungsnachweise (40 Ustd.)